主要參數(shù)

1、測試頻率：20Hz～200KHz，精確度0.02%基本量測準(zhǔn)確度：0.1%

2、3種阻抗輸出模式選擇，測量結(jié)果可與各廠家之LCR表*對比增強(qiáng)式圈數(shù)比

3、準(zhǔn)確測量，適用于低磁道率的磁芯

4、提供各種標(biāo)準(zhǔn)測試治具及特殊治具訂制四端測試治具，可得到DCR，電感量和圈數(shù)比精確穩(wěn)定的測量。內(nèi)建式比較器，10級分類及計(jì)數(shù)功能（僅適于3252/3302）2M SRAM記憶卡供機(jī)臺(tái)資料設(shè)定及備份標(biāo)準(zhǔn)RS～232，HANDLER及PRINER界面50組內(nèi)部儀器設(shè)定可供儲(chǔ)存及呼叫

5、測試參數(shù)：圈數(shù)比（TURN RATIO），相位（PHASE），圈數(shù)（TURN），電感（L），品質(zhì)因子（Q），漏電感（LK），平衡（BALANCE），交流電阻（ACR），電容（CP），直流電阻（DCR），接腳短路（PIN SHORT）

6、測試電壓：10MV-10V，10MV/STEP

7、測試頻率：20Hz～200KHz/1MHz